CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。