封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。