單項(xiàng)選擇題有一空乏型（Depletion）MOSFET之IDSS=12mA，VP=－4.8V，求VGS=－2.4V時(shí)，ID=？（）

A.1mA
B.2mA
C.3mA
D.4mA


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1.單項(xiàng)選擇題加強(qiáng)型場(chǎng)效晶體管，在常態(tài)中（）

A.有PN接面有逆向電流
B.無(wú)PN接面有逆向電流
C.無(wú)PN接面無(wú)逆向電流
D.有PN接面無(wú)逆向電流

2.單項(xiàng)選擇題晶體管共集極電路之特性為（）

A.電流增益小
B.電壓增益大
C.功率增益大
D.相移為0°

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于BJT和FET的特性敘述，下列何者為非？（）

A.BJT是雙載子組件，而FET是單載子組件
B.在IC的制作上，BJT比FET占較大的面積
C.BJT與FET都是電壓控制組件
D.一般而言，F(xiàn)ET作為放大器產(chǎn)生的噪聲較低

4.單項(xiàng)選擇題

如圖放大器的輸入與輸出相位（）

A.相同
B.相差180°
C.接近180°
D.大于180°

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于JFET，下列敘述何者為非？（）

A.VDS很大時(shí)，工作于奧姆區(qū)
B.VGS=VP時(shí)，通道被夾止
C.在較大的VDS時(shí)，工作在飽和區(qū)
D.工作在飽和區(qū)可做線性放大的工作