單項(xiàng)選擇題關(guān)于JFET，下列敘述何者為非？（）
A.VDS很大時(shí)，工作于奧姆區(qū)
B.VGS=VP時(shí)，通道被夾止
C.在較大的VDS時(shí)，工作在飽和區(qū)
D.工作在飽和區(qū)可做線性放大的工作
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1.單項(xiàng)選擇題某晶體管放大器的射極電流為3mA，則順向射基極交流電阻re的近似值為？（）
A.3kΩ
B.3Ω
C.8.33Ω
D.8.33kΩ
2.單項(xiàng)選擇題脈波的上升時(shí)間是指最大波幅的百分之多少，到百分之多少？（）
A.0%～100%
B.5%～95%
C.10%～90%
D.15%～85%
3.單項(xiàng)選擇題場(chǎng)效應(yīng)晶體管用于增益控制電路中，必須將它偏壓在（）
A.奧姆區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.作用區(qū)
4.單項(xiàng)選擇題晶體管共基極電路之特性為（）
A.電壓增益小
B.電壓增益大
C.電流增益為1
D.相移為180°
5.單項(xiàng)選擇題JFET的工作原理是利用閘極電壓來(lái)控制（）
A.通道中載子的濃度
B.通道中之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過(guò)接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度
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