單項(xiàng)選擇題晶體管共基極電路之特性為（）
A.電壓增益小
B.電壓增益大
C.電流增益為1
D.相移為180°
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1.單項(xiàng)選擇題JFET的工作原理是利用閘極電壓來控制（）
A.通道中載子的濃度
B.通道中之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度
2.單項(xiàng)選擇題
如圖所示，Q1，Q2為相同二極管，I=？（）
A.10mA
B.20mA
C.5mA
D.1mA
3.單項(xiàng)選擇題
右圖所示之N信道JFET電路，已知JFET之IDSS=4mA，VP=－4V，使此JFET工作于飽和區(qū)（SaturationRegion），且其汲極電流ID=1mA，則RS應(yīng)為：（）
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
E.5kΩ
4.單項(xiàng)選擇題下列的放大電路中，那一個(gè)不是屬于場效應(yīng)晶體管的放大電路組態(tài)？（）
A.共集極放大電路
B.共源極放大電路
C.共汲極放大電路
D.共閘極放大電路
5.單項(xiàng)選擇題以TTL推動CMOS邏輯閘時(shí)，最簡單的界面連接技術(shù)是加一個(gè)無源提升（pull－up）（）
A.電感器
B.電容器
C.電阻器
D.PN二極管
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如何使用555時(shí)基電路構(gòu)成多諧振蕩器？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
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