單項選擇題以TTL推動CMOS邏輯閘時，最簡單的界面連接技術(shù)是加一個無源提升（pull－up）（）
A.電感器
B.電容器
C.電阻器
D.PN二極管
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1.單項選擇題有關(guān)FET的敘述，與晶體管相較，下列何者正確？（）
A.雜音較多
B.輸入阻抗較高
C.高頻響應(yīng)較好
D.增益帶寬乘積通常比晶體管為佳
2.單項選擇題
右圖之電路，若|IDSS|=4mA，VP=4V，則VGS為（）
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
3.單項選擇題
如圖之電路，其參數(shù)值gm=2mA/V，rd=40k，若RD=20k，則電壓增益Av為（）
A.－57
B.－38
C.－26.6
D.－20.5
4.單項選擇題FET共泄極放大器的電壓增益（）
A.甚高
B.約等于μ
C.等于1
D.略小于1
5.單項選擇題TO－3包裝之功率晶體管，其外殼為（）
A.集極
B.射極
C.基底（substrate）
D.基極
最新試題
555時基電路在哪種模式下可以作為方波發(fā)生器？（）
題型：單項選擇題
關(guān)于RC正弦波振蕩器的說法，正確的是（）
題型：單項選擇題
低頻功率放大器的基本要求通常不包括以下哪一項？（）
題型：單項選擇題
74LS163是什么類型的計數(shù)器？（）
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74LS194如何用作計數(shù)器？（）
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TTL反相器的主要特點是什么？（）
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74LS163的清除功能是如何實現(xiàn)的？（）
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如何使用555時基電路構(gòu)成多諧振蕩器？（）
題型：單項選擇題
74LS163在哪些場合有應(yīng)用？（）
題型：單項選擇題