問(wèn)答題簡(jiǎn)述多晶硅注入的應(yīng)用
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
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摻雜后,退火的目的是()。
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影響封裝芯片特性的溫度有()。
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濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
題型:多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題