A.705
B.500
C.0
D.50
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A.2.4
B.3
C.5
D.2
A.0.866
B.0.6
C.0.8
D.0.7
在圖10-26所示正弦交流電路中,已知:U=80V,UL=100V,UC=40V,則電壓U為()V。
A.100
B.220
C.161
D.142
圖10-25所示電路中,u1=400sinωtV,u2=300sinωtV,則u為()V。
A.700sinωt
B.500sinωt
C.100sinωt
D.50sinωt
A.S=P+QL-QC
B.S2=P2+Q2L-Q2C
C.S2=P2+(QL-QC.2
D.S=P+QL+QC
最新試題
如圖10-75所不,兩無限大平行帶電平板,它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷,兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場(chǎng)強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為()。
如圖10-72所示,真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球,其電荷量為q,帶電球外的電場(chǎng)為()。
如圖10-79所示,一個(gè)直徑為1m的球形金屬接地極,深埋于電導(dǎo)率為σ=1.91×10-2S/m的土壤中,該接地極的接地電阻為()Ω。
在圖10-69所示電路中,開關(guān)S在t=0瞬間閉合,若uC(0-)=5V,則uL(0+)=()V。
在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì),它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ,μ2=3μ0,在外部作用下交界面上A點(diǎn)下部磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=12i+16j,則A點(diǎn)上部的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為()。
兩個(gè)平行帶電平板,每個(gè)平板的面積為S,相距d,且d<<S,兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電容量是()。
如圖10-72所示,真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球,其電荷量為q,帶電球內(nèi)的電場(chǎng)為()。
真空中有一個(gè)半徑為a的金屬球,其電容為()。
真空中有一個(gè)半徑為a的均勻帶電球,其電荷體密度為ρ,帶電球內(nèi)的電場(chǎng)為()。
在平行板電容器中,有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)(圖10-81),它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S/m,γ2=1×10-8S/m,極板面積S=0.66m2,每層介質(zhì)厚度d=0.6cm,則電容器的漏電導(dǎo)G=()S。