單項(xiàng)選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴(kuò)散作用的金屬是（）。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
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1.單項(xiàng)選擇題摻氯氧化使用的HCL是（）。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
2.單項(xiàng)選擇題二氧化硅中每個(gè)硅原子周圍有（）個(gè)氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
3.單項(xiàng)選擇題以下哪項(xiàng)不是STI工藝氣體？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
4.單項(xiàng)選擇題CMP清洗部分的順序是（）。
A.兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆聲清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆聲清洗（Meg）
5.單項(xiàng)選擇題高電流注入機(jī)的掃描方式為（）。
A.靜電掃描
B.機(jī)械掃描
C.靜電掃描與機(jī)械掃描結(jié)合
最新試題
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型：判斷題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題