多項(xiàng)選擇題多芯片組件封裝的基板材料可以為()。
A.玻璃
B.金屬
C.高分子材料
D.陶瓷
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題芯片尺寸封裝的封裝面積與裸芯片面積的比例為()。
A.1.1:1
B.1.3:1
C.1:1
D.1.2:1
2.單項(xiàng)選擇題以下封裝方式擁有最高封裝密度的是()。
A.倒裝焊
B.熱壓鍵合
C.引線鍵合
D.載帶自動(dòng)焊
3.多項(xiàng)選擇題陶瓷熔封雙列直插式封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,其三個(gè)基本零部件為()。
A.陶瓷框架
B.封裝蓋板
C.粘接底座
D.鍵合引線
4.單項(xiàng)選擇題載帶球柵陣列封裝所用的焊球,其成分為()。
A.65%Sn-35%Pb
B.10%Sn-90Pb
C.35%Sn-65%Pb
D.90%Pb-10%Sn
5.單項(xiàng)選擇題以下封裝方式中,具有工業(yè)自動(dòng)化程度高、工藝簡(jiǎn)單、容易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的封裝形式為()。
A.多層陶瓷雙列直插式封裝
B.塑料單列直插式封裝
C.塑料雙列直插式封裝
D.陶瓷熔封雙列直插式封裝
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題