解釋鋁已經被選擇作為微芯片互連金屬的原因。

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？

敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

解釋離子束擴展和空間電荷中和。

哪種化學氣體經常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。

例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。