光學(xué)高溫計(jì)只要選取一定的波長(zhǎng)，通常選λ=0.78μm。

吸附平衡關(guān)系由吸附過(guò)程的方向和極限決定的，是吸附過(guò)程的基本依據(jù)。

簡(jiǎn)述特殊活性原料的獲得方法及效果。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動(dòng)，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

簡(jiǎn)述熱電偶真空規(guī)測(cè)量原理。

強(qiáng)制對(duì)流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來(lái)增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

活性炭對(duì)物質(zhì)的吸附是對(duì)極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。

MoSi2宜在低于1000℃下長(zhǎng)時(shí)間使用。

反應(yīng)氣體或生成物通過(guò)邊界層，是以擴(kuò)散的方式來(lái)進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力，則是來(lái)自于氣體分子局部的濃度梯度。