溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層，是以擴(kuò)散的方式來進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

MoSi2宜在低于1000℃下長時(shí)間使用。

光學(xué)高溫計(jì)只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

強(qiáng)制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

簡述雜質(zhì)對擴(kuò)散的影響。

化學(xué)氣相沉積乃是通過化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵(lì)或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。