表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內的晶格常數，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質，且有很高的純度。

吸附質從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質通過渦流流體的傳遞過程。

簡述雜質對擴散的影響。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

溫度的高低不必用數字來說明，溫標是溫度的數值表示方法。

簡述真空蒸鍍的原理。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

低壓下從石墨轉變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應的推動來實現(xiàn)。