CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。

靜高壓高溫直接轉變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉變或化合成新物質。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質產生多型相變或發(fā)生不同物質間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

簡述雜質對擴散的影響。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

低壓下從石墨轉變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應的推動來實現(xiàn)。

在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質，且有很高的純度。