半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。