晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。