1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。