判斷題電感線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢在數(shù)值上與線圈中流過的電流的變化率成正比。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
2.單項選擇題載流導(dǎo)體在磁場中所受到磁場力的方向由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
3.單項選擇題直導(dǎo)體切割磁力線產(chǎn)生感應(yīng)電動勢的方向可由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
4.單項選擇題電流所產(chǎn)生磁場的方向按（）確定。
A、歐姆定律
B、右手螺旋定則
C、基爾霍夫定律
D、楞次定律
5.單項選擇題電場強度的單位符號是（）。
A、V/m
B、V
C、W
D、VA
最新試題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題