單項選擇題對稱三相交流電路無功功率的表達(dá)式sin3UIQ中的電壓和電流是()。
A、線電壓和線電流
B、線電壓和相電流
C、相電壓和線電流
D、相電壓和相電流
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1.單項選擇題一般情況下,電力系統(tǒng)的自然功率因數(shù)()。
A、滯后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
2.單項選擇題功率三角形中,功率因數(shù)角所對的邊是()。
A、視在功率
B、瞬時功率
C、有功功率
D、無功功率
3.單項選擇題電阻與電感串聯(lián)的交流電路中,當(dāng)電阻與感抗相等時,則電壓與電流的相位關(guān)系是()。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
4.單項選擇題在純電感交流電路中,電壓保持不變,提高電源頻率,電路中的電流將會()。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
5.單項選擇題正弦交流電路中,一般電壓表的指示值是()。
A、最大值
B、瞬時值
C、平均值
D、有效值
最新試題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題