A、管電流
B、管電壓
C、曝光時間
D、焦距
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A、管電流
B、管電壓
C、曝光時間
D、焦距
A、射線太硬
B、顯影不足
C、顯影液陳舊失效
D、以上都對
A、源的強度
B、源的尺寸
C、源的使用時間
D、源的種類
A、質(zhì)量數(shù)相同,中子數(shù)不同的元素
B、質(zhì)量數(shù)不同,中子數(shù)相同的元素
C、質(zhì)子數(shù)相同,中子數(shù)不同的元素
D、中子數(shù)相同,質(zhì)子數(shù)不同的元素
A、電子
B、中子
C、質(zhì)子
D、原子
最新試題
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號的同時具備探傷、電導(dǎo)率測量()測量功能的通用型儀器。
特性是指實體所特有的性質(zhì),它反映子實體滿足需要的()
用于測量黑光強度的現(xiàn)代黑光輻射照度計,其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測量黑光。
渦流檢測線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
對于長條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。
渦流檢測儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出()的相關(guān)信息。
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動,即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。