A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.移位寄存器
D.多諧振蕩器
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A.有3個(gè)500電阻構(gòu)成的分壓器
B.有兩個(gè)電壓比較器
C.有一個(gè)基本RS觸發(fā)器
D.一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)放電管
A.74LS00
B.74LS160
C.74LS164
D.74LS194
A.串行輸入，并行輸出
B.串行輸入串行輸出
C.并行輸入，并行輸出
D.并行輸入，串行輸出
A.同步計(jì)數(shù)器
B.異步計(jì)數(shù)器
C.十進(jìn)制計(jì)數(shù)器
D.二進(jìn)制計(jì)數(shù)器
A.同步計(jì)數(shù)器
B.加法計(jì)數(shù)器
C.減法計(jì)數(shù)器
D.異步計(jì)數(shù)器
最新試題
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號(hào)JK就為（）。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
電可擦除的PROM器件是（）
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體？是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體？簡(jiǎn)述它們的作用。
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
一個(gè)兩輸入端的門電路，當(dāng)輸入為10時(shí)，輸出不是1的門電路為（）
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）