多項(xiàng)選擇題數(shù)字系統(tǒng)中常用的LSI(大規(guī)模集成電路)可分為()三種類型。
A.非用戶定制電路
B.全用戶定制電路
C.半用戶定制電路
D.PLD器件
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1.多項(xiàng)選擇題一個(gè)完整的PLD設(shè)計(jì)流程有設(shè)計(jì)準(zhǔn)備、設(shè)計(jì)輸入等四個(gè)步驟和()兩驗(yàn)證過程。
A.設(shè)計(jì)校驗(yàn)(功能仿真和時(shí)序仿真)
B.器件加密
C.器件老化
D.器件測試
2.多項(xiàng)選擇題一個(gè)完整的PLD設(shè)計(jì)流程有哪幾個(gè)步驟和兩種驗(yàn)證過程。()
A.設(shè)計(jì)準(zhǔn)備
B.設(shè)計(jì)輸入
C.設(shè)計(jì)處理
D.器件編程
3.多項(xiàng)選擇題PLD的設(shè)計(jì)方法主要有()。
A.積木式
B.模塊式
C.自下而上式
D.自上而下式
4.多項(xiàng)選擇題下列PLD電路的或陣列可編程的器件是()。
A.PROM
B.FPLA
C.PAL
D.GAL
5.多項(xiàng)選擇題下列PLD電路的與陣列可編程的器件是()。
A.PROM
B.FPLA
C.PAL
D.GAL
最新試題
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
題型:單項(xiàng)選擇題
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
題型:單項(xiàng)選擇題
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
題型:單項(xiàng)選擇題
電可擦除的PROM器件是()
題型:單項(xiàng)選擇題
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體?是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體?簡述它們的作用。
題型:問答題
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
題型:單項(xiàng)選擇題
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實(shí)現(xiàn)()。
題型:單項(xiàng)選擇題
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請說明理由。
題型:問答題
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
題型:單項(xiàng)選擇題