多項(xiàng)選擇題1990’s CMOS IC 工藝技術(shù)特征是()。
A.淺槽隔離工藝
B.鋁柵工藝
C.多晶硅柵工藝
D.硅外延片襯底
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1.多項(xiàng)選擇題?Stepper的優(yōu)點(diǎn)有()。
A.光刻版的精度和良率高
B.可分步重復(fù)曝光
C.減小了塵埃的影響
D.套刻精度高
2.多項(xiàng)選擇題?對非光學(xué)曝光表述正確的是()。
A.X-射線是非光學(xué)曝光
B.電子束是非光學(xué)曝光
C.非光學(xué)曝光都不需要光刻版
D.EUV是非光學(xué)曝光
3.多項(xiàng)選擇題對移相掩膜(PSM)表述正確的是()。
A.使光通過后產(chǎn)生180度相位差
B.提高分辨率
C.消除了圖形邊緣的衍射
4.多項(xiàng)選擇題對正性光刻膠特性表述正確的是()。
A.分辨率高
B.顯影時(shí)曝光部分不溶解,未曝光部分溶解
C.分辨率低
D.顯影時(shí)曝光部分溶解,未曝光部分不溶解
5.多項(xiàng)選擇題?提高光刻分辨率的途徑有()。
A.增大數(shù)值孔徑NA
B.增大曝光波長
C.減小曝光波長
D.減小數(shù)值孔徑NA
最新試題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
以下不屬于打碼目的的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題