多項選擇題對移相掩膜（PSM）表述正確的是（）。
A.使光通過后產生180度相位差
B.提高分辨率
C.消除了圖形邊緣的衍射
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1.多項選擇題對正性光刻膠特性表述正確的是（）。
A.分辨率高
B.顯影時曝光部分不溶解，未曝光部分溶解
C.分辨率低
D.顯影時曝光部分溶解，未曝光部分不溶解
2.多項選擇題?提高光刻分辨率的途徑有（）。
A.增大數值孔徑NA
B.增大曝光波長
C.減小曝光波長
D.減小數值孔徑NA
3.多項選擇題?光刻工藝流程中后烘的作用是（）。
A.消除駐波效應
B.蒸發(fā)PR中所有有機溶劑
C.提高光刻膠和表面的黏附性
D.平滑光刻膠側壁
4.多項選擇題光刻是集成電路制造最重要的工藝，是因為（）。
A.光刻耗費時間最多
B.光刻耗費時間最少
C.光刻決定了特征尺寸
D.光刻成本最高
5.單項選擇題現代光刻工藝有10個步驟，其中4個是熱處理步驟，下列哪個熱處理順序是正確的？（）
A.前烘、后烘、打底膜、堅膜
B.打底膜、前烘、后烘、堅膜
C.預烘、堅膜、前烘、后烘
D.打底膜、堅膜、前烘、后烘
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