三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線(xiàn)焊接之后有無(wú)各種廢品。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）