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A.耐腐蝕性好
B.與硅接觸可能出現(xiàn)尖楔現(xiàn)象
C.抗電遷移性差
D.穩(wěn)定性好

A.圖（b）是注入的低能離子
B.圖（b）是注入的高能離子
C.圖（a）是注入的低能離子
D.圖（a）是注入的高能離子

A.單位為m²/s
B.有單位
C.無單位
D.單位為m/s

A.P擴(kuò)散速度加快
B.擴(kuò)入Si的P總量下降
C.在SiO₂/Si界面Si一側(cè)的P耗竭（是指低于SiO₂一側(cè)）
D.在SiO₂/Si界面Si一側(cè)的P堆積（是指高于SiO₂一側(cè)）

A.雜質(zhì)表面濃度< N_s
B.雜質(zhì)表面濃度=N_s
C.應(yīng)再擴(kuò)散71min
D.表面雜質(zhì)濃度等于該工藝溫度時硅的固溶度

A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD

A.核阻止和電子阻止是獨立的
B.核阻止本領(lǐng)>電子阻止本領(lǐng)
C.核阻止本領(lǐng)< 電子阻止本領(lǐng)
D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無關(guān)