填空題?熱氧化工藝本質(zhì)上是在硅與二氧化硅()發(fā)生的硅的氧化反應(yīng)。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于鋁膜下列哪種說法正確?()
A.耐腐蝕性好
B.與硅接觸可能出現(xiàn)尖楔現(xiàn)象
C.抗電遷移性差
D.穩(wěn)定性好
3.多項(xiàng)選擇題
看圖判斷,下列哪種描述正確?()
A.圖(b)是注入的低能離子
B.圖(b)是注入的高能離子
C.圖(a)是注入的低能離子
D.圖(a)是注入的高能離子
4.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散系數(shù)是表征擴(kuò)散快慢的參數(shù),它相當(dāng)于單位濃度梯度時(shí)的擴(kuò)散通量,所以它()
A.單位為m2/s
B.有單位
C.無單位
D.單位為m/s
5.多項(xiàng)選擇題?P在兩歩擴(kuò)散工藝中,第二步再分布的同時(shí)又進(jìn)行了熱氧化(kp=10),這會(huì)給再分布擴(kuò)散帶來哪些影響?()
A.P擴(kuò)散速度加快
B.擴(kuò)入Si的P總量下降
C.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P耗竭(是指低于SiO2一側(cè))
D.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P堆積(是指高于SiO2一側(cè))
最新試題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)?()
題型:單項(xiàng)選擇題