多項(xiàng)選擇題關(guān)于鋁膜下列哪種說法正確？（）
A.耐腐蝕性好
B.與硅接觸可能出現(xiàn)尖楔現(xiàn)象
C.抗電遷移性差
D.穩(wěn)定性好
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1.多項(xiàng)選擇題
看圖判斷，下列哪種描述正確？（）
A.圖（b）是注入的低能離子
B.圖（b）是注入的高能離子
C.圖（a）是注入的低能離子
D.圖（a）是注入的高能離子
2.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散系數(shù)是表征擴(kuò)散快慢的參數(shù)，它相當(dāng)于單位濃度梯度時(shí)的擴(kuò)散通量，所以它（）
A.單位為m2/s
B.有單位
C.無單位
D.單位為m/s
3.多項(xiàng)選擇題?P在兩歩擴(kuò)散工藝中，第二步再分布的同時(shí)又進(jìn)行了熱氧化（kp=10），這會(huì)給再分布擴(kuò)散帶來哪些影響？（）
A.P擴(kuò)散速度加快
B.擴(kuò)入Si的P總量下降
C.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P耗竭（是指低于SiO2一側(cè)）
D.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P堆積（是指高于SiO2一側(cè)）
4.多項(xiàng)選擇題?硅恒定源擴(kuò)散，在擴(kuò)散溫度硅的固溶度為Ns，在進(jìn)行了40min擴(kuò)散后，測(cè)得結(jié)深是1.5μm，若要獲得2.0μm的結(jié)深，在原工藝基礎(chǔ)上應(yīng)再擴(kuò)散多少分鐘？硅表面雜質(zhì)濃度是多少？（）
A.雜質(zhì)表面濃度< Ns
B.雜質(zhì)表面濃度=Ns
C.應(yīng)再擴(kuò)散71min
D.表面雜質(zhì)濃度等于該工藝溫度時(shí)硅的固溶度
5.單項(xiàng)選擇題多晶硅薄膜通常采取哪種方法制備？（）
A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題