填空題在硅片上熱氧化0.5μm厚的氧化層時(shí)，硅片增厚了（）μm。
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3.多項(xiàng)選擇題關(guān)于鋁膜下列哪種說法正確？（）
A.耐腐蝕性好
B.與硅接觸可能出現(xiàn)尖楔現(xiàn)象
C.抗電遷移性差
D.穩(wěn)定性好
4.多項(xiàng)選擇題
看圖判斷，下列哪種描述正確？（）
A.圖（b）是注入的低能離子
B.圖（b）是注入的高能離子
C.圖（a）是注入的低能離子
D.圖（a）是注入的高能離子
5.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散系數(shù)是表征擴(kuò)散快慢的參數(shù)，它相當(dāng)于單位濃度梯度時(shí)的擴(kuò)散通量，所以它（）
A.單位為m2/s
B.有單位
C.無單位
D.單位為m/s
最新試題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題