版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？