在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。