問答題

【計(jì)算題】輕摻雜的硅樣品在室外溫下，外加電壓使電子的漂移速度是它的熱運(yùn)動速度的十分之一，一個電子由于漂移而通過1μm區(qū)域中的平均碰撞次數(shù)和此時加在這個區(qū)域的電壓為多少？

答案：

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【計(jì)算題】
（1）證明，且電子濃度，空穴濃度時，材料的電導(dǎo)率σ最小，并求出σ_min的表達(dá)式。
（2）試求300K時，InSb的最小電導(dǎo)率和最大電導(dǎo)率，什么導(dǎo)電類型的材料電阻率可達(dá)最大？（T=300K時，InSb的）

答案：

【計(jì)算題】
分別計(jì)算有下列雜質(zhì)的硅，在室溫時的載流子濃度和電阻率；
（1）3×10¹⁵硼原子/cm³
（2）1.3×10¹⁶硼原子/cm³+1.0×10¹⁶磷原子/cm³
（3）1.3×10¹⁶磷原子/cm³+1.0×10¹⁶硼原子/cm³+1.0×10¹⁷砷原子/cm³

答案：