(1)證明,且電子濃度,空穴濃度時(shí),材料的電導(dǎo)率σ最小,并求出σmin的表達(dá)式。
(2)試求300K時(shí),InSb的最小電導(dǎo)率和最大電導(dǎo)率,什么導(dǎo)電類型的材料電阻率可達(dá)最大?(T=300K時(shí),InSb的)
分別計(jì)算有下列雜質(zhì)的硅,在室溫時(shí)的載流子濃度和電阻率; (1)3×1015硼原子/cm3 (2)1.3×1016硼原子/cm3+1.0×1016磷原子/cm3 (3)1.3×1016磷原子/cm3+1.0×1016硼原子/cm3+1.0×1017砷原子/cm3
一截在為10-3cm2,摻有雜質(zhì)濃度NA=1013/cm3的P型硅樣品,在樣品內(nèi)加有強(qiáng)度為103V/cm的電場(chǎng),求: (1)室外溫時(shí)樣品的電導(dǎo)率及流過(guò)樣品的電流密度。 (2)400K時(shí)樣品的電導(dǎo)率及流過(guò)樣品的電流密度。