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問答題 （1）證明，且電子濃度，空穴濃度時，材料的電導(dǎo)率σ最小，并求出σ_min的表達(dá)式。
（2）試求300K時，InSb的最小電導(dǎo)率和最大電導(dǎo)率，什么導(dǎo)電類型的材料電阻率可達(dá)最大？（T=300K時，InSb的）

1.問答題 分別計算有下列雜質(zhì)的硅，在室溫時的載流子濃度和電阻率；
（1）3×10¹⁵硼原子/cm³
（2）1.3×10¹⁶硼原子/cm³+1.0×10¹⁶磷原子/cm³
（3）1.3×10¹⁶磷原子/cm³+1.0×10¹⁶硼原子/cm³+1.0×10¹⁷砷原子/cm³

2.問答題 一截在為10^-3cm²，摻有雜質(zhì)濃度N_A=10₁₃/cm³的P型硅樣品，在樣品內(nèi)加有強(qiáng)度為10³V/cm的電場，求：
（1）室外溫時樣品的電導(dǎo)率及流過樣品的電流密度。
（2）400K時樣品的電導(dǎo)率及流過樣品的電流密度。

3.問答題一截面為0.6cm²，長為1cm的n型GaAs樣品，設(shè)μ_n=8000cm²/V.s，n=10¹⁵cm³，試求該樣品的電阻。

4.問答題設(shè)電子遷移率為0.1cm²/V.s，硅的電子有效質(zhì)量m_cn=0.26m₀，如加以強(qiáng)度為10⁴V/m的電場，試求平均自由時間和平均自由程。

5.問答題在500g的硅單晶中摻有4.5×10^-5g的硼，設(shè)雜質(zhì)全部電離，求該材料的電阻率（設(shè)μ_p=400cm²/V.s），硅單密度為2.33g/cm³，硼的原子量為10.8）。