高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

簡述真空蒸鍍的原理。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。

在電離真空計中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。