描述電子回旋共振（ECR）。

解釋正性光刻和負性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

例舉離子注入設備的5個主要子系統(tǒng)。

例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個基本步驟。

哪種化學氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

描述RF濺射系統(tǒng)。

解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？

解釋什么是暗場掩模板？

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？