最新試題
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
題型：?jiǎn)柎痤}
刻蝕工藝有哪兩種類型？簡(jiǎn)單描述各類刻蝕工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
描述RF濺射系統(tǒng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
題型：?jiǎn)柎痤}
光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。
題型：?jiǎn)柎痤}
哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
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