處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。