MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。