實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS管閾值電壓的單位是eV。