N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。