氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。