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窄溝道效應(yīng)
答案:
溝道寬度變窄后閾值電壓的偏移。
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輕摻雜漏(LDD)
答案:
為了減小電壓擊穿效應(yīng),在緊鄰溝道處制造一輕摻雜漏區(qū)的MOSFET。
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熱電子
答案:
由于在高場強中被加速,能量遠大于熱平衡時的值的電子。
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