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問(wèn)答題 電路如圖所示，設(shè)FET的互導(dǎo)為gm，rd很大；BJT的電流放大系數(shù)為β，輸入電阻為rbe。試說(shuō)明T1、T2各屬什么組態(tài)，求電路的電壓增益ÀV、輸入電阻Ri及輸出電阻Ro的表達(dá)式。

參考答案：

（1）T1、T2的組態(tài)
T1為源極輸出器，T2為共射極電路。
（2）求Àv

（3）求Ri和Ro

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1.問(wèn)答題 已知電路參數(shù)如圖所示，F(xiàn)ET工作點(diǎn)上的互導(dǎo)gm=1mS，設(shè)rd≥Rd。
（1）畫(huà)出小信號(hào)等效電路；
（2）求電壓增益Àv；
（3）求放大電路的輸入電阻Ri。

參考答案：

（1）畫(huà)小信號(hào)等效電路
忽略rd，可畫(huà)出圖中的小信號(hào)等效電路，如下圖所示。

（2）求ÀV

（3）求Ri

2.問(wèn)答題 四個(gè)FET的轉(zhuǎn)移特性分別如圖a、b、c、d所示，其中漏極電流iD的方向是它的實(shí)際方向。試問(wèn)它們各是哪種類型的FET？

參考答案：
由圖可見(jiàn)：圖a為P溝道JFET；圖b為N溝道耗盡型MOSFET；圖c為P溝道耗盡型MOSFET；圖d為N溝道...

點(diǎn)擊查看完整答案

3.問(wèn)答題 一個(gè)MOSFET的轉(zhuǎn)移特性如圖所示（其中漏極電流iD的方向是它的實(shí)際方向）。試問(wèn)：
（1）該管是耗盡型還是增強(qiáng)型？
（2）是N溝道還是P溝道FET？
（3）從這個(gè)轉(zhuǎn)移特性上可求出該FET的夾斷電壓VP還是開(kāi)啟電壓VT？其值等于多少？

參考答案：

由圖可見(jiàn)，它是P溝道增強(qiáng)型MOSFET，其VT=－4V。

4.判斷題處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。

參考答案：錯(cuò)誤

5.判斷題引入直流負(fù)反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)。

參考答案：正確