光生伏特效應(yīng)

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

猝滅劑

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

非本征光電導(dǎo)

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。