注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。