MOS器件存在哪些二階效應？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

集成電容主要有幾種結構？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數載流子來區(qū)別。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

集成電路電阻可以通過（）產生。

根據圖，給出M2管的漏極電流表達式。