名詞解釋凈化級(jí)別
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編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：?jiǎn)柎痤}
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}