填空題

離子注入摻雜劑量偏差的原因主要來源于：（）、（）和可能的（）。例如：當(dāng)作²⁸Si⁺注入時，可能有真空系統(tǒng)中剩余氣體產(chǎn)生的（）也會同時注入。

答案：中性原子注入；二次電子效應(yīng)；相同荷質(zhì)比離子的注入；N₂⁺

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Al柵CMOS的極限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工藝

答案： 5微米；多晶硅柵

為了降低臺階高度對金屬互連線的影響，在沉積金屬層前必須對圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）

答案：回流；化學(xué)機(jī)械拋光；硼硅玻璃（BSG）、磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）