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填空題離子注入摻雜劑量偏差的原因主要來源于：（）、（）和可能的（）。例如：當(dāng)作²⁸Si⁺注入時(shí)，可能有真空系統(tǒng)中剩余氣體產(chǎn)生的（）也會(huì)同時(shí)注入。

1.填空題Al柵CMOS的極限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工藝

2.填空題為了降低臺(tái)階高度對(duì)金屬互連線的影響，在沉積金屬層前必須對(duì)圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）

3.填空題要實(shí)現(xiàn)金屬互連線與Si的良好歐姆接觸，還必須做（）處理。為了避免鋁釘扎和電遷移現(xiàn)象，常用（）、（）合金和（）替代純鋁。鋁合金化工藝的條件是：（）

4.填空題肖特基接觸呈現(xiàn)（），肖特基結(jié)的高低由（）差決定；歐姆接觸呈現(xiàn)（）特性，接觸電阻可以低到10^-7歐姆·厘米。IC的互連線金屬要求與半導(dǎo)體襯底實(shí)現(xiàn)（），所以，源、漏、多晶硅等的摻雜濃度必須高于（）。

5.填空題金屬-半導(dǎo)體接觸分：（）三種。當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度低于（）時(shí)，只能產(chǎn)生（），當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度高于（）時(shí) 可實(shí)現(xiàn)（）。