氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。